1技術(shù)背景介紹

HIT電池結構
異質(zhì)結HIT(Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer)電池(同時(shí)也簡(jiǎn)稱(chēng)HJT,SHJ,SJT等),通常以n型晶體硅作襯底,寬帶隙的非晶硅作發(fā)射極,典型結構如上圖所示。該電池具有雙面對稱(chēng)結構,n型硅襯底兩側兩層薄本征非晶硅層,正面一層P型非晶硅發(fā)射極層,背面一層n型非晶硅膜背表面場(chǎng);在兩側非晶硅薄層上用濺射法沉積透明導電氧化物薄膜,最后制備金屬柵極。
HIT太陽(yáng)能電池的優(yōu)勢
低溫工藝
由于使用a-Si構成PN結,所以能在200℃以下的低溫完成整個(gè)工序,遠低于傳統晶硅太陽(yáng)電池的形成溫度(~900℃)。低溫制造工藝可以有效減少熱應力對膜產(chǎn)生的變形影響,加上兩側對稱(chēng)的非晶硅薄膜構造,電池基底的熱損傷大大降低,有利于實(shí)現晶片的輕薄化和高效化。
高穩定性
HIT太陽(yáng)電池Voc越高輸出特性的溫度依存性越小。對Voc超過(guò)700 mV的HIT電池,其溫度系數-0.25%/℃,而傳統的擴散PN結太陽(yáng)電池溫度系數為0.45%/℃,降低溫度系數意味著(zhù)即使在光照升溫情況下仍有好的輸出。
高效率
HIT電池獨特的非摻雜(本征)氫化非晶硅薄層異質(zhì)結結構,改善了對硅片表面的鈍化效果,大降低了表面復合損失,提高了電池效率。據報道,Panasonic研發(fā)出的HIT電池實(shí)驗室效率已達到25.6%,是目前世界上轉換效率最高的商業(yè)化晶硅電池。
2技術(shù)前景
TECHNICAL PROSPECTS
根據2017年ITRPV預測HIT電池所占份額五年內約為5%~7%,如下圖所示,

HIT電池市場(chǎng)占有率預測
但是隨著(zhù)今年5.31政策的頒布執行,現在相對低效的電池及組件份額必然減少,屆時(shí)HIT電池因其高效率以及不斷降低的成本,市場(chǎng)份額有望超過(guò)之前的預測。實(shí)際上,國內很多電池制造商正積極布局HIT 技術(shù),包括晉能、漢能、通威、江蘇愛(ài)康等,產(chǎn)能即將較去年大幅增加。

HIT電池產(chǎn)能統計
3HIT電池的制造工藝流程介紹
HIT電池制造工藝流程以簡(jiǎn)潔著(zhù)稱(chēng),其中a-Si:H薄膜的沉積是工藝技術(shù)的核心,要求氫化非晶硅膜層的缺陷態(tài)密度低、折射率高且光吸收系數低。目前,國內外文獻多采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備非晶硅薄膜,其他方法如熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)(HWCVD)、常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)(APCVD)和 離子束輔助沉積技術(shù)制備a-Si:H也有研究。目前,HIT電池的電極目前主要采用絲網(wǎng)印刷低溫Ag導電漿實(shí)現的,降低電極的絲網(wǎng)印刷電阻和細化金屬線(xiàn)是實(shí)現太陽(yáng)能電池低成本、高效率的關(guān)鍵。

HIT電池工藝流程
HIT電池技術(shù)金屬化(銀漿)發(fā)展研究
1HIT電池金屬化的核心要求
HIT電池因為其特殊的晶硅/非晶硅界面態(tài)鈍化結構,對設備、工藝、環(huán)境、操作水平等要求較常規的晶硅電池制造要高得多,金屬化(主要討論銀漿的情況)要求也必然非常高,總結起來(lái)主要是三個(gè)方面:
高電性能
對于銀漿的體電阻要求一般在5.0*10^-6——10^-5Ω.cm,需要銀漿有良好的接觸,很低的Rs和較高的FF;
良好的印刷性
目前的部分HIT電池印刷的網(wǎng)版開(kāi)口約在40-45um,后續為了將本和提升Isc,網(wǎng)版的開(kāi)口必然會(huì )下降到40um以下,此時(shí)需要銀漿具備很好的長(cháng)期穩定印刷性;
合格的拉力
目前主要HIT電池制造廠(chǎng)家的拉力要求一般約是1N。而低溫銀漿是基于工藝溫度在250℃以下,沒(méi)有銀粉燒結過(guò)程,銀粉之間、銀與基材之間依靠有機樹(shù)脂相進(jìn)行黏接。不同于傳統晶硅電池漿料采用高溫燒結,銀粉之間依靠表面熔融相互連接,玻璃相在一定程度上熔銀并刻蝕硅板,形成可靠黏結和歐姆接觸。因此1N的拉力要求對于低溫銀漿的是一個(gè)挑戰。
2HIT電池金屬化工藝流程及方法
目前大部分HIT電池的金屬化主要是流程是先正面印刷,然后烘干,再進(jìn)行背面印刷,然后再烘干,接著(zhù)進(jìn)行固化,最后測試電池的各項指標,如下圖所示。

HIT電池金屬化工藝流程
其中,電池正面印刷,可以采用單次印刷,也可以采用DUP或者DP的印刷方式,其中DP的印刷方式較多,主要是為了提高高寬比,獲得優(yōu)良的線(xiàn)型,進(jìn)而得到較高的Isc,從而極大提高電池效率;而背面印刷考慮成本原因,以單次為主。網(wǎng)版的使用方面,除了常規的360-16um網(wǎng)版,無(wú)網(wǎng)結,380-14/430-13um高目數網(wǎng)版也可以使用。
烘干時(shí)間和溫度的設定會(huì )影響電極柵線(xiàn)的線(xiàn)型和黏附力,過(guò)短的時(shí)間和過(guò)低的溫度,將導致柵線(xiàn)的線(xiàn)型坍塌和黏附力偏低,并直接會(huì )導致效率偏低。固化的時(shí)間和溫度對拉力的影響較大,較低的溫度和偏短的固化時(shí)間,將導致拉力偏低。為防止對非晶硅薄膜的損失,不管是烘干還是固化,最高設定溫度最好不超過(guò)220℃ 。
低溫銀漿的儲存條件不同于常規銀漿,一般-20~-10℃條件下可以?xún)Υ?個(gè)月,常溫條件下只能儲存一周。
3HIT電池其他金屬化方法
目前HIT電池金屬化的方法主要絲網(wǎng)印刷為主,絲網(wǎng)印刷的漿料又以低溫銀漿為主,但是因為銀漿的成本占比較高,部分廠(chǎng)商嘗試了其他的金屬化技術(shù),其中能夠批量量產(chǎn)的有賽昂(已出售給solarcity)基于銅電鍍技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)的電鍍技術(shù),取得較好的效果,但是隨著(zhù)國內環(huán)保政策收緊,電鍍項目的環(huán)評審批將極其困難。
另一種金屬化方法來(lái)自于總部位于瑞士的設備制造商Meyer Burger,其于2013年向市場(chǎng)發(fā)布SMWT(SmartWire縮寫(xiě))技術(shù)。Meyer Burger號稱(chēng)與傳統5主柵技術(shù)相比,由于銅線(xiàn)的截面為圓形,制成組件后可以將有效遮光面積減少30%,同時(shí)減少電阻損失,組件總功率提高3%。由于30條主柵分布更密集,主柵和細柵之間的觸電多達2660個(gè),在硅片隱裂和微裂部位電流傳導的路徑更加優(yōu)化,因此由于微裂造成的損失被大大減小,產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)量可提高1%。更為重要的是由于主柵材料采用銅線(xiàn),電池的銀材料用量可以減少80%。但是其設備造價(jià)極其昂貴,電池可靠性仍待批量驗證。
幾種金屬化方法優(yōu)缺點(diǎn)匯總如下表所示。
HIT 電池金屬化方法優(yōu)缺點(diǎn)比較
小結
?、?HIT電池因其高效率和高穩定性,隨著(zhù)5.31政策的收緊,未來(lái)市場(chǎng)份額有望超過(guò)此前預測5%-7%的份額,國內的產(chǎn)能已然增加很多。因此建議相應的低溫銀漿開(kāi)發(fā)加快步伐,在競爭對手不多的情況下,盡快搶占市場(chǎng)份額;
?、?HIT電池金屬化核心需求是高電性能,穩定長(cháng)期印刷性,合格的拉力;
?、?HIT電池金屬可以量產(chǎn)的新技術(shù)有電鍍和SMWT,但是短期內,絲網(wǎng)印刷仍將是主流技術(shù)。