金善明表示，在硅片端，保利協(xié)鑫從2011年就開(kāi)始探索金剛線(xiàn)切片機改造，目前保利協(xié)鑫旗下所有設備已完成金剛線(xiàn)切技改。實(shí)測數據顯示，改造機比專(zhuān)機裝載量高20%，切片良率略高于專(zhuān)機，切片成本與專(zhuān)用機相比無(wú)明顯差異，而改造成本僅為購買(mǎi)專(zhuān)機的1/10左右。但金剛線(xiàn)切多晶片存在絨面問(wèn)題，保利協(xié)鑫濕法黑硅技術(shù)的量產(chǎn)完美解決了這一難題。
在報告中，金善明著(zhù)重介紹了保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片。他指出，“TS+”第二代黑硅片開(kāi)創(chuàng )性地采用了“正面制絨”+“背面拋光”的獨特工藝，正面優(yōu)質(zhì)的表面陷光結構與背面高亮的平整表面相結合，PERC工藝中背拋簡(jiǎn)單，大大降低其背拋光成本和壓力。
實(shí)測顯示，“TS+”第二代黑硅片設備產(chǎn)能增加一倍，制絨成本降低約30%，以接近傳統制絨的成本獲取黑硅高轉化效率，電池效率增益將提升至0.5%。多晶黑硅疊加PERC技術(shù)后，效率比普通多晶單純使用黑硅或PERC之和仍高出0.24%左右，實(shí)現了“1+1＞2”的效果，為行業(yè)帶來(lái)更高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品。經(jīng)實(shí)測，應用“TS+”第二代黑硅技術(shù)的組件CTM（封裝損失）可以達到99%以上，組件功率增益將提升至5W（60片），未來(lái)“金剛線(xiàn)+黑硅+PERC”技術(shù)將成為300W+多晶組件的標配。
金善明同時(shí)表示，保利協(xié)鑫儲備多年的鑄錠單晶技術(shù)將迎來(lái)市場(chǎng)化，繼金剛線(xiàn)切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對市場(chǎng)有重大影響的差異化產(chǎn)品，而且將在性?xún)r(jià)比方面具有較強的競爭力。保利協(xié)鑫會(huì )將一部分鑄錠多晶轉成鑄錠單晶，其余通過(guò)自產(chǎn)黑硅及與電池客戶(hù)配套黑硅制絨，預計2019年“多晶金剛線(xiàn)切+黑硅+PERC”占比將超過(guò)80%，成為高效多晶產(chǎn)品的主流。
