在P型硅太陽(yáng)能電池中，轉換效率最高的是德國哈梅林太陽(yáng)能研究所（ISFH）開(kāi)發(fā)的POLO電池，達到了26.1%。作為一種交錯背接觸電池，POLO電池也采用多晶硅氧化層（POLO）技術(shù)實(shí)現鈍化接觸，并且達到了極高的開(kāi)路電壓（726.6mV）。
此外，采用鈍化接觸的主流電池結構還包括硅基異質(zhì)結電池（HJT），該結構通過(guò)非晶硅實(shí)現鈍化。日本鐘化集團（Kaneka）將交錯背接觸結構和異質(zhì)結技術(shù)相結合，取得了目前晶硅太陽(yáng)能電池轉換效率的世界紀錄，達到了26.63%。
非晶硅與多晶硅之間的主要區別在于：非晶硅在加工過(guò)程中無(wú)法承受高溫，而多晶硅則可以。因此，多晶硅工藝整合會(huì )相對容易，而不用被迫改變后端金屬化制程。
金屬化是TOPCon結構實(shí)現商業(yè)化的關(guān)鍵要素之一。目前，在實(shí)驗室設備中，通過(guò)物理氣相沉積（PVD）技術(shù)實(shí)現了全背金屬接觸，但該技術(shù)并不適用于大規模量產(chǎn)。為了將這一前景廣闊的高效技術(shù)商業(yè)化，找到合適的采用絲網(wǎng)印刷和燒結金屬化工藝的解決方案至關(guān)重要，這也引起了業(yè)界的濃厚興趣。
此外，多晶硅還可用于構建不同的高效電池結構：N型多晶硅可取代N+擴散層，用于N型雙面電池的背面；P型多晶硅可用于P型電池的背面（作為p-PERC的替代方案），從而取代鋁背場(chǎng)電池或用作N型背結電池。相較目前的擴散層，這兩種方法均可顯著(zhù)降低復合速率。
賀利氏積極探索可用于多晶硅層接觸并最大程度地降低金屬誘導復合速率的金屬化漿料。這是一項具有挑戰性的任務(wù)，主要原因如下：首先，由于金屬-半導體相互作用的屬性，降低金屬誘導復合速率的要求非?？量?。其次，對漿料的接觸性能起著(zhù)重要作用的多晶硅層具有顯著(zhù)的差別。影響多晶硅表面漿料性能的關(guān)鍵因素包括：
1.多晶硅的厚度
從吸收率的角度來(lái)看，優(yōu)選超薄多晶硅層，但其金屬誘導損失更加嚴重。在絲網(wǎng)印刷和燒結金屬化工藝中，較厚的多晶硅層通常更有優(yōu)勢。只要多晶硅層位于電池背面，即使膜層稍微厚點(diǎn)，也完全可以接受。
2.多晶硅層的摻雜濃度
為了使金屬和多晶硅之間形成良好的接觸，必須達到足夠的摻雜濃度。不管多晶硅層是在沉積時(shí)進(jìn)行原位摻雜，還是在沉積之后進(jìn)行易位摻雜，表面電阻率都可作為有效的度量指標。多晶硅層的典型表面電阻率高于傳統的擴散層，但通常只有超薄多晶硅層才能做到這點(diǎn)。
3.表面形態(tài)
用于多晶硅沉積的襯底表面既可以是經(jīng)過(guò)制絨的，也可以是光滑的。近期研究表明，兩種類(lèi)型的表面均具有出色的J0。
4.耐高溫性
如前所述，能夠承受較高溫度是多晶硅的優(yōu)勢之一。但是，多晶硅層表面的金屬誘導復合速率也是溫度函數，通常隨著(zhù)溫度升高而加快。
5.多晶硅層的均勻性
多晶硅層的均勻性通常隨厚度增加而提高。這對于接觸性能有一定的影響，因為不均勻的多晶硅層容易在金屬化過(guò)程中遭受更嚴重的局部損壞。
以下是賀利氏漿料與多晶硅層接觸的部分結果。圖1對比了三種漿料（分別標為漿料1、2和3）在薄多晶硅層和厚多晶硅層表面的接觸電阻率。
漿料2在薄多晶硅層和厚多晶硅層表面的性能較為相似。另一方面，漿料1在厚多晶硅層表面的性能最為優(yōu)異，其接觸電阻率只稍高于當前漿料（參照物）在擴散發(fā)射極表面的接觸電阻率。漿料3在厚多晶硅層表面的接觸電阻率也更低。
圖1：賀利氏漿料1、2和3在薄多晶硅層和厚多晶硅層表面的接觸電阻。漿料1在厚多晶硅層表面的性能最為優(yōu)異
通常來(lái)說(shuō)，當燒結溫度較低時(shí)，多晶硅能夠更好地保留鈍化特性。因此，在足夠低的溫度下，為多晶硅接觸而開(kāi)發(fā)的金屬化漿料應該也能夠形成低電阻接觸。圖2顯示了改進(jìn)后漿料在高燒結溫度和低燒結溫度下的接觸電阻率。
一開(kāi)始，漿料A在高燒結溫度下具有良好的接觸電阻率，但在低燒結溫度下，接觸電阻率顯著(zhù)升高。在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，漿料A經(jīng)改進(jìn)后得到的漿料A1和A2在低燒結溫度下的性能有所改善。以傳統擴散發(fā)射極表面的絲網(wǎng)印刷與燒結漿料的接觸電阻作為參照，在低燒結溫度下，漿料A2在多晶硅表面的接觸電阻與參照電阻相近。
與制絨表面相比，光滑表面的多晶硅層的J0通常較低。但從多晶硅沉積工藝的近期發(fā)展來(lái)看，光滑表面與制絨表面的J0已經(jīng)不分伯仲。不過(guò)，這兩種類(lèi)型的表面的接觸性能會(huì )有所不同。圖3顯示，不同表面類(lèi)型所適合的漿料也有所不同。漿料A在制絨表面的接觸電阻率與參照電阻接近，但在光滑表面則很高。漿料B恰好相反，在制絨表面的接觸電阻率要優(yōu)于光滑表面。
圖2：隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展，漿料在多晶硅層表面的接觸電阻率進(jìn)一步提高，漿料A3在低燒結溫度下表現出了出色的接觸電阻。
圖3：不同硅片表面的漿料接觸電阻率對比
毋庸置疑，多晶硅的特性對于漿料特性具有深刻的影響。通過(guò)與行業(yè)合作伙伴及研究機構通力合作，賀利氏在開(kāi)發(fā)多晶硅層接觸用絲網(wǎng)印刷漿料方面取得了重大進(jìn)展。針對不同類(lèi)型的多晶硅層，賀利氏開(kāi)發(fā)出了接觸電阻最優(yōu)并且能夠最大程度地降低金屬誘導復合速率的金屬化漿料。我們始終秉持著(zhù)“百尺竿頭，更進(jìn)一步”的態(tài)度，精益求精，致力于不斷降低金屬誘導復合速率，以最終實(shí)現真正的具有低接觸電阻的鈍化金屬接觸。
