江蘇省硅基電子材料重點(diǎn)實(shí)驗室總面積3000平方米，其中千級潔凈室近200平方米，可對硅錠、硅片表面形貌結構、微區成分、晶向結構、表面反射特征、光致發(fā)光衰減及雜質(zhì)元素等進(jìn)行全面檢測分析，是一個(gè)太陽(yáng)能級晶體硅材料長(cháng)晶綜合研究平臺。通過(guò)大量研究成果轉化和生產(chǎn)工藝提升，目前多晶電池轉換效率提升至19.5%以上，單晶電池轉換效率提升至20.5%以上，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
在晶體質(zhì)量方面，實(shí)驗室在開(kāi)發(fā)新的鑄錠熱場(chǎng)及工藝、提升少子壽命、降低多晶硅片的位錯密度、降低氧濃度和碳濃度、收窄電阻率分布等方面成效卓著(zhù)，并提升優(yōu)化了全熔和半熔長(cháng)晶工藝。在多晶硅片方面，憑借先進(jìn)的成核技術(shù)、高純材料和電阻率優(yōu)化，為更高效率需求提供選擇；在單晶硅片方面，更加先進(jìn)的CCz技術(shù)氧含量更低且更均勻，金屬雜質(zhì)累積速度更慢，軸向電阻率分布均勻，波動(dòng)可以控制在10％以?xún)?，更適用于高效N型和鎵摻雜的P型電池。
依托于硅基電子材料重點(diǎn)實(shí)驗室的研發(fā)成果及眾多專(zhuān)家的一線(xiàn)攻關(guān)，保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，以接近傳統制絨的成本獲取黑硅高轉化效率，電池效率增益將提升至0.5%，引領(lǐng)全國100余條黑硅產(chǎn)線(xiàn)、23吉瓦黑硅產(chǎn)能降本提效，未來(lái)“金剛線(xiàn)+黑硅+PERC”技術(shù)將成為300W+多晶組件的標配。此外，依托實(shí)驗室研發(fā)成果并提升長(cháng)晶設備工藝，客戶(hù)反饋保利協(xié)鑫鑄錠單晶疊加PERC技術(shù)后與Cz單晶效率差僅為0.18%，高效鑄錠單晶組件（60片）可以封裝到310W，而成本大幅降低。利用鑄錠工藝特性和摻鎵技術(shù)，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上。2011年至今，江蘇協(xié)鑫硅材料先后推出“鑫單晶”G系列、“鑫多晶”S系列高效硅片系列產(chǎn)品，持續引領(lǐng)全球光伏產(chǎn)業(yè)的高效潮流。
江蘇省重點(diǎn)實(shí)驗室是省區域性科技創(chuàng )新體系重要基礎設施之一，依托本領(lǐng)域有較強科研實(shí)力的重點(diǎn)科研院所院校、科技型企業(yè)組建，以應用基礎研究和高技術(shù)研究為重點(diǎn)，瞄準國際學(xué)科前沿。2015年，經(jīng)江蘇省科技廳批準籌建，位于徐州的江蘇協(xié)鑫硅材料開(kāi)始著(zhù)手打造硅基電子材料重點(diǎn)實(shí)驗室。經(jīng)過(guò)三年多的建設，實(shí)驗室順利完成了各項考核任務(wù)，并于2018年4月通過(guò)省科技廳專(zhuān)家組驗收。近期，江蘇省硅基電子材料重點(diǎn)實(shí)驗室獲批省財政廳、科技廳補助經(jīng)費300萬(wàn)元。
早在2011年，成立一年多的江蘇協(xié)鑫硅材料研發(fā)中心就與浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室開(kāi)展產(chǎn)學(xué)研項目合作，2013年，雙方合作項目獲得江蘇省重大科技成果專(zhuān)項資金項目支持。2014年以后，研發(fā)中心陸續與南京航空航天大學(xué)、中國礦業(yè)大學(xué)建設了產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系。2015年以后研發(fā)中心立足于“江蘇省硅基電子材料重點(diǎn)實(shí)驗室”專(zhuān)業(yè)平臺，將專(zhuān)利技術(shù)融入生產(chǎn)應用，科技成果轉化碩果累累。
作為全球領(lǐng)先的鑄錠、切片研發(fā)制造基地，江蘇協(xié)鑫硅材料未來(lái)將進(jìn)一步拓寬學(xué)科領(lǐng)域，加強太陽(yáng)能硅材料、硅基光電子材料等新型功能材料的研究，不斷提升科技成果轉化水平。
