ISFH主任RolfBrendel教授表示，“我們的結果表明，無(wú)論是n型硅、硼擴散還是非晶硅，它們都不是實(shí)現超高效率所必須的。還有其他很有吸引力的辦法能取得最高硅效率，同時(shí)潛在的成本又很低！“
創(chuàng )下記錄的電池在電池負接觸極上使用鈍化電子選擇n+型多晶硅氧化（POLO）觸點(diǎn)，在正接觸極上使用孔選擇P+型POLO觸點(diǎn)。
POLO觸點(diǎn)的高選擇性是實(shí)現高效率的一個(gè)關(guān)鍵因素，背部叉指模式使用了這種觸點(diǎn)，能夠最大限度地減少多晶硅中的寄生吸收，避免金屬指狀物對正面的遮蔽。
n+型和P+型多晶硅由一塊內置多晶硅區域彼此分離，該區域使用實(shí)驗室工藝進(jìn)行處理。ISFH指出介質(zhì)背面反射激光消融，類(lèi)似于目前的生產(chǎn)技術(shù)。
創(chuàng )下記錄的電池在經(jīng)過(guò)ISO17025認證的校準和測試中心ISFH-加利福尼亞理工學(xué)院進(jìn)行了測試和驗證。電池開(kāi)路電壓為（726.6±1.8）mV，短路電流密度為（42.62±0.4）mA/c㎡，在4c㎡指定電池面積上的填充因子為（84.28±0.59）%。
“用激光接觸開(kāi)口取代光刻是邁向工業(yè)化的重要的第一步，因為它實(shí)現了金屬化絲網(wǎng)印刷工藝。“工作組組長(cháng)RobbyPeibst教授表示。
ISFH指出了項目合作伙伴Centrotherm和瓦克化學(xué)的貢獻。Centrotherm在低壓化學(xué)氣相沉積反應器中沉淀了多晶硅層，瓦克化學(xué)貢獻了硅片的高溫加工知識。
ISFH的研究獲得了德國聯(lián)邦經(jīng)濟和能源部（BMWi）以及下薩克森州的資金支持。
POLO觸點(diǎn)單晶硅太陽(yáng)能電池，兩極都在太陽(yáng)能電池背面。前方圖片是在一塊硅片上加工的七個(gè)太陽(yáng)能電池背部，后方圖片是整個(gè)前部。
