現行光電裝置是基于硅的無(wú)機半導體材料，效率低，不能處理全部光譜，且成本昂貴。
量子點(diǎn)即大小在幾納米的半導體晶體，改變其尺寸，可以輕易控制太陽(yáng)能電池的性質(zhì)，如擴大吸收光譜。量子點(diǎn)冷凝物生產(chǎn)是通過(guò)簡(jiǎn)單廉價(jià)方法進(jìn)行的，但為了獲得高質(zhì)量的鍍層，必須仔細挑選生產(chǎn)條件和把量子點(diǎn)連結在一起的有機分子類(lèi)型。
俄學(xué)者開(kāi)發(fā)出了在室溫下取代配位基的技術(shù)，有助于改變量子點(diǎn)之間的距離，以此控制電荷能源傳遞的效率，不僅用來(lái)制造光電電池或發(fā)光二極管，還可以制造更復雜的半導體結構，如用作制造高度敏感的新一代傳感器的半導體結構。
