4月13日，美國國際貿易委員會(huì )（ITC）法官發(fā)布，隆基股份(25.280,1.40, 5.86%)產(chǎn)品不侵犯Hanwha Q CELLS（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“韓華”）專(zhuān)利權。
具體事態(tài)發(fā)展回顧如下：
2019年3月，韓華在美國和德國分別向隆基股份、晶科能源提起專(zhuān)利侵權訴訟，指控晶科能源、隆基樂(lè )葉在美國，晶科能源等企業(yè)在德國非法進(jìn)口并銷(xiāo)售侵犯韓華鈍化工藝專(zhuān)利的太陽(yáng)能(3.290, 0.05, 1.54%)電池和組件。
2019年3月7日，針對2019年3月5日有關(guān)媒體發(fā)表的題為《韓華Q－CELLS起訴晶科隆基和REC，侵犯鈍化技術(shù)專(zhuān)利》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“韓華訴訟案件”）等文章，隆基綠能科技股份公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“公司”）及時(shí)披露了《關(guān)于媒體報道的澄清公告》，對涉及的專(zhuān)利內容、公司采用的技術(shù)方法以及對公司的影響等情況進(jìn)行了公告。
對此，隆基股份作出回應稱(chēng)，其一，韓華訴訟使用的專(zhuān)利是通過(guò)從其他研究機構經(jīng)多次轉移購買(mǎi)所得，其專(zhuān)利權與其他公司共有。同時(shí)，該專(zhuān)利權穩定性存在較大不確定性。其二，從技術(shù)上看，目前公司產(chǎn)品與涉案專(zhuān)利采用的技術(shù)方法并不一致（專(zhuān)利采用的是ALD技術(shù)，公司采用的是PECVD技術(shù)）；其三，目前無(wú)證據表明公司產(chǎn)品侵犯任何專(zhuān)利權。
2019年3月8日，隆基股份收到上述事項的專(zhuān)利權訴訟請求書(shū)及傳票并及時(shí)披露了《關(guān)于韓華起訴公司專(zhuān)利權的進(jìn)展公告》。
2020年4月9日，隆基股份及相關(guān)中介機構就《中國證監會(huì )行政許可項目審查一次反饋意見(jiàn)通知書(shū)》（193156號）中所列的韓華訴訟案件相關(guān)問(wèn)題做出了回復。
據了解，韓華Q CELLS是韓國韓華集團旗下的全球太陽(yáng)能整體解決方案企業(yè)，產(chǎn)品涉及電池和組件，提供涵蓋整個(gè)太陽(yáng)能業(yè)務(wù)的解決方案。晶科能源、隆基股份、韓華在全球光伏行業(yè)的競爭中都處于第一集團。
隆基股份表示，長(cháng)期以來(lái)，公司高度重視技術(shù)創(chuàng )新，尊重知識產(chǎn)權，目前公司的專(zhuān)利申請數量已超過(guò)1000件，包括PERC電池技術(shù)在內的許多光伏發(fā)電關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域已實(shí)現全球領(lǐng)先。
現就韓華訴訟案件披露進(jìn)展如下：美國國際貿易委員會(huì )（ITC）法官發(fā)布“韓華訴隆基產(chǎn)品侵犯其美國專(zhuān)利權（專(zhuān)利號：US9893215號）”337調查初裁結果：初裁公司產(chǎn)品不侵犯韓華專(zhuān)利權。
針對公司最新進(jìn)展，4月13日，隆基股份在投資者互動(dòng)平臺上回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，從4月份公司開(kāi)始已批量生產(chǎn)和供應摻鎵硅片產(chǎn)品。
隆基官網(wǎng)用紅色字體標注顯示：隆基已取得摻鎵專(zhuān)利授權、P型產(chǎn)品（摻硼和摻鎵）同價(jià)。
3月25日，隆基股份與日本信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì )社正式簽署全球、非排他性、包含交叉許可模式的專(zhuān)利許可協(xié)議。使用摻鎵技術(shù)相關(guān)專(zhuān)利的隆基產(chǎn)品將在全球范圍內受到保護，免于被訴。具體協(xié)議條款屬于保密內容。使用他人知識產(chǎn)權并支付合理的費用，對于促進(jìn)創(chuàng )新、推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。
隆基支付摻鎵單晶專(zhuān)利技術(shù)使用費，同時(shí)宣布摻硼和摻鎵單晶硅片同價(jià)，這說(shuō)明了在P型技術(shù)方面，隆基更看好摻鎵單晶技術(shù)。隨著(zhù)本次摻鎵專(zhuān)利許可的獲得，將讓隆基在控制光伏產(chǎn)品衰減方面獲得進(jìn)一步突破，同時(shí)更好的為行業(yè)提供低衰減產(chǎn)品解決方案。
隆基單晶PERC產(chǎn)品也將在未來(lái)實(shí)際應用中凸顯更高性?xún)r(jià)比，具備更大的競爭優(yōu)勢；另一方面，將更好地推動(dòng)PERC技術(shù)產(chǎn)業(yè)化水平的更加穩定與高效，助推整個(gè)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與成本下降。
業(yè)內認為，由于摻鎵單晶可有效降低初始光致衰減（LID），提高組件發(fā)電效率，在硅片價(jià)格一樣的前提下，摻鎵單晶未來(lái)或將成為市場(chǎng)主流。
