HJT電池優(yōu)于PERC電池的之處在于非晶硅薄膜的沉積，故也導致了兩者制備工藝上最大的不同。雖然PECVD作為沉積鍍膜的核心方法，但是在PERC電池和HJT電池制備工藝中卻對應著(zhù)截然不同的PECVD設備（前者為場(chǎng)鈍化、后者為化學(xué)鈍化），這也是HJT電池制備與PERC電池生產(chǎn)線(xiàn)不相容的根本原因。印刷和制絨相對來(lái)說(shuō)變動(dòng)較小，制絨這一塊比PERC要求更高純凈度的清洗，表面不能有一些金屬離子；印刷主要是漿料需要使用低溫銀漿。
制絨清洗設備：清洗制絨設備主要包括捷佳偉創(chuàng )、北方華創(chuàng )、YAC。HJT通常采用N型單晶硅做為襯底，且在切割加工過(guò)程中會(huì )在表面層產(chǎn)生損傷層，通常使用堿性腐蝕液進(jìn)行各向異性腐蝕，利用不同Si晶面的腐蝕速度差異，在硅片表面形成3-6的金字塔結構，襯底表面的制絨效果直接影響電池的最終特性，故在制絨過(guò)程中必須控制制絨速率和金字塔表面均勻度，這對制絨設備和制絨工提出了更高的要求。目前工藝溫度、溶液均勻性、產(chǎn)能等都是衡量制絨設備效果技術(shù)指標，目前主要設備生產(chǎn)廠(chǎng)家為日本YAC和中國捷佳偉創(chuàng )。
捷佳偉創(chuàng )比YAC性能更優(yōu)。日本YAC的制絨設備可制備的絨面紋理大小為2~10，并且可處理硅基版類(lèi)型多，單晶制絨反射率在11.1%和11.4%之間。與之相比，國內捷佳偉創(chuàng )制絨可使反射率低于11%，其研制的全自動(dòng)制絨清洗綜合設備采用最新全自動(dòng)配液、高精度補液術(shù)以及硅片表面預脫水技術(shù)，結合實(shí)籃監測系統和分組制絨技術(shù)，表明其在制絨設備上已處于領(lǐng)先水平。目前公司研制的超高產(chǎn)能HJT單晶制絨清洗設備已經(jīng)處于檢驗階段（通威200MW產(chǎn)線(xiàn)）。
非晶硅薄膜沉淀設備：HWCVD設備主要廠(chǎng)商為ULVAC；PECVD設備主要供應廠(chǎng)商為梅耶博格、應用材料、理想萬(wàn)里暉、鈞石。邁為股份和捷佳偉創(chuàng )已有CVD產(chǎn)品儲備，仍在試驗中。國內的理想萬(wàn)里暉率先研發(fā)出用于HJT的PECVD設備，打破了長(cháng)期以來(lái)國外廠(chǎng)商的壟斷，并且在2019年成功競標某標志性百兆瓦級HJT項目的PECVD設備供應，并陸續升級PECVD推出配套工藝。邁為股份、捷佳偉創(chuàng )也陸續推出CVD新產(chǎn)品，現階段仍在試驗中。
TCO鍍膜設備：RPD設備商包括日本住友、臺灣精耀，PVD設備商包括梅耶博格、應用材料、馮阿登納、國內鈞石等。
現階段采用PVD方式成膜的企業(yè)較多，主要是PVD設備較為成熟，價(jià)格便宜，同時(shí)設備較為穩定，產(chǎn)能完全可以做到6000pcs以上，德國馮阿登納公司今年已經(jīng)推出產(chǎn)能8000pcs設備，主要采用直流磁控濺射工藝，部分廠(chǎng)家引入了射頻磁控濺射工藝。同時(shí)PVD所使用的的靶材生產(chǎn)企業(yè)較多，基本不受專(zhuān)利限制，主要是ITIO受制于日本住友專(zhuān)利。但是缺點(diǎn)也較為明顯，效率偏低，和PERC沒(méi)有拉開(kāi)明顯的效率差異，總的來(lái)說(shuō)短時(shí)間看來(lái)PVD為HJT電池的量產(chǎn)方向。
效率上RPD現階段較PVD(ITO)優(yōu)勢在0.4%左右，可以通過(guò)托盤(pán)優(yōu)化將差異拉開(kāi)至0.6%以上，并且可以通過(guò)使用其他更高效的靶材進(jìn)一步拉開(kāi)與PVD的效率差異至0.7%。但是RPD缺點(diǎn)較為明顯，第一：設備產(chǎn)能較低（百MW投資高）導致售價(jià)高 ,第二：RPD主要核心部件為住友把持，成本較高，第三：RPD的靶材受制于住友專(zhuān)利問(wèn)題銷(xiāo)售限制性較大，并且成本過(guò)于高昂。
總的來(lái)說(shuō)短期之內HJT電池擴產(chǎn)技術(shù)主要以PVD為主，主要是PVD設備較為成熟，價(jià)格便宜，同時(shí)設備較為穩定，產(chǎn)能完全可以做到6000pcs以上，德國馮阿登納公司今年已經(jīng)推出產(chǎn)能8000pcs設備，主要采用直流磁控濺射工藝，部分廠(chǎng)家引入了射頻磁控濺射工藝。但現階段常州捷佳創(chuàng )/臺灣精曜已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā)6000pcs以上產(chǎn)能設備，預計2020年推出，在產(chǎn)能翻倍同時(shí)成本不會(huì )成倍增加。其次國內靶材公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出住友相關(guān)使用于HJT的高效靶材，靶材成本大幅下降。隨著(zhù)RPD設備國產(chǎn)化與產(chǎn)能放大化，再匹配國產(chǎn)蒸鍍靶材后RPD將會(huì )顯現出一定的優(yōu)勢，未來(lái)仍會(huì )存在PVD與RPD之爭。
絲網(wǎng)印刷：國際主流的廠(chǎng)商有Baccini、ASYS、DEK，國內廠(chǎng)商有邁為股份、科隆威、捷佳偉創(chuàng )。HJT和PERC電池采用同樣的印刷設備，最大的區別在于HJT印刷原料為低溫銀漿，目前蘇州晶銀生產(chǎn)的新一代正面銀漿已經(jīng)打破了低溫銀漿被外國企業(yè)壟斷的局面。
設備增量空間百億
HJT工序中PECVD、PVD價(jià)值可以占70%。目前HJT產(chǎn)線(xiàn)核心設備（CVD和PVD）總價(jià)值在700-1300萬(wàn)美元/100MW之間，其余設備（入料管控、自動(dòng)化、印刷、燒結、測試和篩選等）則在300-500萬(wàn)美元之間。以REC新加坡600MW產(chǎn)線(xiàn)為例，PECVD要6臺，PVD單機產(chǎn)能大一些，要5臺。100MW 設備投資1億人民幣，一臺PECVD+PVD要7000萬(wàn)。
未來(lái)設備單GW設備總價(jià)有望降到5億元或5億以下，主要通過(guò)；
?、偬岣咴O備產(chǎn)能，如設備產(chǎn)能提升50%而單價(jià)僅上升10%：目前制絨、PVD、印刷三道產(chǎn)能可達8000片/時(shí)，主要挑戰在CVD（仍是6000片/時(shí)），但后續優(yōu)化技術(shù)難度不算太大，CVD設備沉積腔里都不需要變，只要將一些傳輸設備及機械進(jìn)行優(yōu)化，產(chǎn)能就可以翻倍。
?、趦?yōu)化工藝設計，縮短周期：除了設備的單純制造產(chǎn)能外，降低資本支出的途徑還包括以下幾點(diǎn)：工藝反應器的平行化、PECVD和PVD的單個(gè)承載工藝、在線(xiàn)工藝和通過(guò)合理系統設計縮短工藝周期。例如，在INDEPtec的技術(shù)里，單個(gè)空腔承載允許硅片處在同一個(gè)承載上，前表面和背面a-Si:H可以同時(shí)進(jìn)行沉積，即縮小了空間又能實(shí)現自動(dòng)化。
依據廠(chǎng)商HJT產(chǎn)能的規劃數據，目前全球已實(shí)現穩定產(chǎn)能約3.14GW，明年規劃投產(chǎn)15GW以上，預計實(shí)際投產(chǎn)10GW左右，那么由此帶來(lái)HJT設備增量空間在60-80億。
