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　　此前工信部發(fā)布的2017年我國光伏產(chǎn)業(yè)運行情況顯示，P型單晶及多晶電池技術(shù)持續改進(jìn)，常規產(chǎn)線(xiàn)平均轉換效率分別達到20.5%和18.8%，采用鈍化發(fā)射極背面接觸技術(shù)（PERC）和黑硅技術(shù)的先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)則分別達到21.3%和19.2%。

　　

　　可見(jiàn)，常規單晶疊加PERC技術(shù)，常規多晶疊加黑硅技術(shù)，即可滿(mǎn)足2018年光伏制造行業(yè)規范的要求。因此，對于2018年的新建和改擴建項目而言，PERC與黑硅技術(shù)在單晶和多晶上將得到普遍采用。

　　

　　黑硅技術(shù)助力多晶電池提效降本

　　

　　對于多晶電池而言，黑硅技術(shù)并非是一項新技術(shù)。該技術(shù)主要是源于2017年金剛線(xiàn)切多晶硅片的普及從而得到推廣。

　　

　　金剛線(xiàn)切片技術(shù)在硅片端可顯著(zhù)降低成本，但金剛線(xiàn)切多晶硅片后，硅片表面損傷層減少，不利于使用傳統酸腐蝕方案對硅片進(jìn)行絨面制備，因此需解決多晶金剛線(xiàn)切割硅片的絨面制絨問(wèn)題。

　　

　　黑硅技術(shù)是解決該問(wèn)題的主要路徑。該技術(shù)解決了金剛線(xiàn)切多晶硅片的反射率過(guò)高問(wèn)題，由于表面反射率的降低，硅片光吸收能力提升，還能附帶一定電池效率的提升。因此，金剛線(xiàn)切多晶硅片搭配黑硅技術(shù)的工藝，既能降低硅片成本又能提升電池效率，是多晶電池繼續進(jìn)步的必由之路。這種降本增效的方案已被大多數多晶電池的制造廠(chǎng)商認可。

　　

　　目前，黑硅技術(shù)的成熟技術(shù)路線(xiàn)主要有干法（RIE）黑硅和濕法(MCCE)黑硅兩種。兩種技術(shù)對硅片表面不良尤其是線(xiàn)痕都有很好的處理，且提效非常明顯，干法黑硅可提升效率0.4%~0.7%，濕法黑硅有0.3%~0.5%的效率增益，但干法黑硅的投資成本相對濕法較高。兩種技術(shù)路線(xiàn)對比如下表所示。

　　

　　從目前金剛線(xiàn)切多晶和濕法黑硅技術(shù)配套的情況來(lái)看，金剛線(xiàn)切多晶改造直接降本0.5-0.8元/片，阿特斯等企業(yè)的黑硅加工成本控制在0.1元/片，功率增益提升至5瓦。按照當前的組件價(jià)格計算，黑硅組件有0.05元/瓦的增益，而成本只上升了0.02元/瓦左右，疊加濕法黑硅技術(shù)以后收益大于增加的成本。黑硅技術(shù)還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，多晶黑硅疊加PERC技術(shù)后可得到額外收益，可以實(shí)現“1+1＞2”的效果，協(xié)鑫集成量產(chǎn)黑硅PERC電池效率已經(jīng)超過(guò)21%。

　　

　　

　　

　　由于通過(guò)黑硅技術(shù)處理后的絨面較常規砂漿片更小更細，對于附著(zhù)力小的漿料容易出現虛印、斷柵等問(wèn)題。因此，黑硅電池對導電漿料的拉力和金屬化接觸等方面提出了更高的要求。

　　

　　不同類(lèi)型的的黑硅絨面結構的不同，正銀漿料在不同黑硅絨面上的表現也不相同。干法黑硅和普通多晶相比，對漿料的要求區別不大。濕法黑硅相比正常多晶絨面，使用普通正銀的主柵焊接拉力可能丟失大于50%，更嚴重的情況下，細柵的附著(zhù)力也會(huì )受到影響甚至脫落。因此，拉力高的漿料產(chǎn)品在濕法黑硅上具有明顯的優(yōu)勢。

　　

　　亞化咨詢(xún)認為，2018年光伏制造行業(yè)規范條件提高了新建和改擴建項目的技術(shù)準入門(mén)檻，愈趨激烈的光伏企業(yè)間的競爭將主要集中于技術(shù)與效率。在單晶市占不斷提升的情況下，應用金剛線(xiàn)切多晶硅片搭配黑硅技術(shù)是提升多晶產(chǎn)品競爭力的必由之路。未來(lái)，黑硅技術(shù)有望成為高效多晶量產(chǎn)的主流工藝路線(xiàn)，將為適用于黑硅技術(shù)的導電漿料帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機遇。

　　

　　無(wú)錫尚德自主研發(fā)的濕法黑硅電池已成功量產(chǎn)，在提升電池轉換效率及組件功率方面均取得了突破性進(jìn)展。目前，無(wú)錫尚德的黑硅產(chǎn)線(xiàn)正處于積極布局擴產(chǎn)中，預計到2018年第一季度，無(wú)錫尚德黑硅電池產(chǎn)能將達到500MW。