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          1. 首頁(yè)

            前沿光伏技術(shù)之光子倍增技術(shù):突破效率極限的曙光(一)

            光伏產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 發(fā)布日期:2025-03-26
            核心提示: 晶硅太陽(yáng)電池占據全球光伏市場(chǎng)90%以上的份額,但其理論效率受限于單結晶硅的帶隙特性(單晶硅太陽(yáng)電池理論極限效率為29.56%[1]),目前背接觸太陽(yáng)電池(Back contact solar cell)已經(jīng)將晶硅電池的光電轉換效率推動(dòng)到了27.3%的高度,距離極限效率僅差2.26%。當晶硅電池效率到達極限效率之后,又要如何突破晶硅電池理論極限的限制,再次走向輝煌?為此光子倍增技術(shù)(Photon Multiplication Technology)應運而生。
            一、引言:光伏效率瓶頸與光譜管理革命
            晶硅太陽(yáng)電池占據全球光伏市場(chǎng)90%以上的份額,但其理論效率受限于單結晶硅的帶隙特性(單晶硅太陽(yáng)電池理論極限效率為29.56%[1]),目前背接觸太陽(yáng)電池(Back contact solar cell)已經(jīng)將晶硅電池的光電轉換效率推動(dòng)到了27.3%的高度,距離極限效率僅差2.26%。當晶硅電池效率到達極限效率之后,又要如何突破晶硅電池理論極限的限制,再次走向輝煌?為此光子倍增技術(shù)(Photon Multiplication Technology)應運而生。

            由于傳統晶硅電池對近紅外光(>1100 nm)和紫外光(300-400 nm)的低利用率(見(jiàn)圖1)——太陽(yáng)光譜中低能光子(紅外)則無(wú)法被吸收,而高能光子(紫外-藍光)的過(guò)剩能量以熱能形式耗散,這導致約50%的太陽(yáng)光譜能量損失[2]。前者可通過(guò)上轉換技術(shù)實(shí)現利用,后者則可通過(guò)光子倍增技術(shù)或下轉換技術(shù)完成對高能光子的吸收[3](見(jiàn)圖2),上下轉換技術(shù)筆者會(huì )在后續的文章中介紹。不同于僅能實(shí)現“一轉一”的下轉換技術(shù)(單個(gè)高能光子轉換成單個(gè)低能光子,其量子轉化效率不足100%),光子倍增技術(shù)的核心是利用稀土元素離子能把單光子分裂為多光子的機制——即量子裁剪(Quantum-Cutting, QC),將高能光子轉換為晶硅敏感的可見(jiàn)/近紅外光子,其量子效率超過(guò)100%,甚至接近200%,進(jìn)而大大提升晶硅電池對太陽(yáng)光的利用率,為晶硅電池效率的躍升開(kāi)辟了全新路徑。同時(shí)也可以降低高能光子對晶硅電池鈍化膜層的破壞,提升太陽(yáng)電池的壽命。本文將從原理、材料體系、器件設計等維度,系統分析該技術(shù)在晶硅電池(尤其是背接觸電池)中的應用潛力。
             


             
            圖1 AM 1.5G太陽(yáng)能光譜中晶硅吸收光譜以及量子裁剪、上轉換可利用光譜[2]
             
            圖2 光譜轉換技術(shù)在光伏領(lǐng)域的應用[3](包括下轉化-DS、量子裁剪-QC、上轉換-UC)
             
              二、光子倍增技術(shù)的核心——量子裁剪:高能光子的“魔法剪刀”

                量子裁剪(quantum cutting)是一種非線(xiàn)性光轉換過(guò)程,其本質(zhì)是通過(guò)材料內部的能量級聯(lián)或協(xié)同轉移,將單個(gè)高能光子(如紫外光子,3.5 eV)分裂為兩個(gè)或多個(gè)低能光子(如近紅外光子,1.1 eV)。這項技術(shù)最早被應用在照明與電子顯示系統領(lǐng)域。根據機制不同基本可分為兩種:

                首先是“單離子級聯(lián)發(fā)射”機制[4](見(jiàn)圖3a),這是一種通過(guò)單個(gè)離子內部的能級躍遷實(shí)現光子倍增的機制。當離子(如Pr³?)吸收一個(gè)高能紫外光子后,電子從基態(tài)激發(fā)至高能態(tài)(如³P?),隨后通過(guò)多步非輻射弛豫或輻射躍遷逐級降至中間能級(如¹G?),最終躍遷回基態(tài)(如³H?),在此過(guò)程中分階段釋放出兩個(gè)或多個(gè)低能近紅外光子。例如,Pr³?在氟化物基質(zhì)(如NaYF?)中可依次發(fā)射~480 nm和~1015 nm光子,理論量子效率達140%,其關(guān)鍵在于離子能級的精細調控和基質(zhì)低聲子化特性,以抑制非輻射損耗,確保能量高效轉化為光子輸出。

                其次是“雙離子協(xié)同轉移”[4] (見(jiàn)圖3b),它是一種通過(guò)兩個(gè)離子間的高效能量耦合實(shí)現光子倍增的機制。當敏化劑離子(如Tb³?)吸收一個(gè)高能紫外光子后,其激發(fā)態(tài)(如?D?能級)的能量恰好是接收體離子(如Yb³?)單次躍遷所需能量(²F?/?→²F?/?)的兩倍,通過(guò)協(xié)同能量轉移過(guò)程,Tb³?的激發(fā)態(tài)能量同時(shí)傳遞給兩個(gè)相鄰的Yb³?離子,觸發(fā)兩者分別發(fā)射一個(gè)近紅外光子[5](~980 nm)。例如,在YPO?:Tb³?-Yb³?體系中,單個(gè)480 nm紫外光子被Tb³?吸收后,通過(guò)共振偶極-偶極相互作用,將總計約1.24eV的能量平均分配給兩個(gè)Yb³?離子,實(shí)現量子效率達188%,其核心在于離子間距的精準調控(<1 nm)及基質(zhì)晶格的低聲子化設計,以最大化協(xié)同轉移概率并抑制能量回傳。

             
            圖3 單離子體系與雙離子體系量子裁剪機理示意圖[4-5]

                量子裁剪技術(shù)作為光子倍增技術(shù)的核心,近年來(lái)也取得顯著(zhù)進(jìn)展,核心聚焦于高效材料體系的開(kāi)發(fā)與機理優(yōu)化。研究者通過(guò)稀土離子對(如Tb³?-Yb³?、Pr³?-Yb³?)的協(xié)同能量轉移機制,在氟化物(NaYF?)、氧化物(YPO?)及玻璃陶瓷等低聲子能基質(zhì)中實(shí)現量子效率突破190%[6-7],其中Cs?Y?Br?:Er³?-Yb³?體系甚至達到195%[8];同時(shí),通過(guò)核殼結構設計(如NaYF?@NaGdF?)抑制表面淬滅,將Yb³?發(fā)光壽命提升至毫秒級[9],并結合Ce³?、Bi³?等敏化劑的吸收擴展至紫外-藍光寬譜[10-11](250–500 nm)。近期研究進(jìn)一步探索了無(wú)稀土體系(如Cu?/Mn??摻雜)和鈣鈦礦量子點(diǎn)復合結構[12-13],為低成本、高穩定性應用奠定基礎,推動(dòng)該技術(shù)從實(shí)驗室向晶硅電池、窄帶隙光伏器件的產(chǎn)業(yè)化集成邁出關(guān)鍵一步。愛(ài)旭研發(fā)中心的工作人員對光子倍增技術(shù)在晶硅電池量產(chǎn)提效方面也做了比較深入的研究,下期將對光子倍增技術(shù)在光伏領(lǐng)域的應用進(jìn)行介紹,敬請期待!

            參考文獻:
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