基本半導體全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調熱泵驅動(dòng)，機車(chē)輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動(dòng)器，高速電機變頻器,MRI醫療電源等. 光伏逆變器專(zhuān)用對稱(chēng)拓撲和飛跨電容拓撲直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。
汽車(chē)級全碳化硅功率模塊是基本半導體為新能源汽車(chē)主逆變器應用需求而研發(fā)推出的系列功率模塊產(chǎn)品，包括半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell™等，采用銀燒結技術(shù)等基本半導體最新的碳化硅 MOSFET 設計生產(chǎn)工藝，綜合性能達到國際先進(jìn)水平，通過(guò)提升動(dòng)力系統逆變器的轉換效率，進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續航里程。高功率密度，高可靠性，高工作結溫，低熱阻，低雜散電感。
Pcore™2系列模塊BMF600R12MCC4，BMF400R12MCC4具有低開(kāi)關(guān)損耗、可高速開(kāi)關(guān)、降低溫度依賴(lài)性、高可靠性（高于A(yíng)QG-324參考標準）等特點(diǎn)，結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊，從而有效縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，提高工作效率。
Pcore™6系列模塊BMS600R12HWC4，BMS400R12HWC4，BMS700R08HWC4，BMS450R08HWC4是一款非常緊湊的功率模塊，專(zhuān)為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)提升效率應用而設計，使用氮化硅AMB絕緣基板、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監控的感應端子（焊接、壓接兼容）設計，具有低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性（高于A(yíng)QG-324參考標準）等特點(diǎn)。
Pcell™系列模塊BMF600R12PC4，BMF400R12PC4，BMF700R08PC4，BMF450R08PC4采用基本半導體設計的獨有封裝形式，采用銀燒結和DTS技術(shù)，大大提升了模塊的功率密度，讓碳化硅材料特性得以充分發(fā)揮，使得產(chǎn)品具有高功率密度、低雜散電感(小于5nH)、高阻斷電壓、低導通電阻（小于2mΩ）、結溫高達175℃等特點(diǎn)，非常適合于高效、高功率密度應用領(lǐng)域。
現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開(kāi)關(guān)頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結合，為硬開(kāi)關(guān)拓撲打造了一個(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，被廣泛應用于新能源領(lǐng)域,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實(shí)現直流升壓降壓轉換，高壓側接入PV直流側，低壓側接電池組。LLC諧振變換器能實(shí)現全負載范圍內開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開(kāi)關(guān)電源,其輸入輸出電壓調節范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優(yōu)點(diǎn).與傳統Si基功率器件相比,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊具有更加優(yōu)良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場(chǎng)合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出應用時(shí)的不足,采用三相交錯并聯(lián)的LLC諧振變換器拓撲并將其與BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊相結合提升功率密度.雙向LLC諧振變換器廣泛應用于充電樁電源模塊，V2G電源模塊，電網(wǎng)儲能PCS，從調峰調頻到備電、價(jià)差套利，儲能將成為新型電力系統的穩定器，雙向LLC諧振變換器電源模塊化助推儲能PCS業(yè)務(wù)發(fā)展。
基本半導體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主要特點(diǎn)： 1.與普通IGBT模塊相比，混合SiC模塊可大幅降低FRD的開(kāi)關(guān)損耗與 IGBT 的開(kāi)通損耗，有助于電力電子設備的降低功率損耗。不同應用條件下總損耗可以
降低20~40%。相對全SiC模塊，性?xún)r(jià)比更高。
2.可以顯著(zhù)提高功率模塊開(kāi)關(guān)頻率。因此有助于縮減輸出濾波電感電容等周邊元器件的規格成本，實(shí)現整機的小型化、在現有系統的不變的情況下，將普通IGBT模塊更換為混合SiC模塊實(shí)現更大的輸出功率。
3.多種電流及封裝規格,半橋結構。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型應用：測試電源-直流源，除塵電源，等離子切割，電源醫療電源CT， MRI，軌道交通輔助電源
高效逆變器用 HERIC 電路和相關(guān)工藝可用于單相逆變器，該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個(gè)反向的開(kāi)關(guān)管進(jìn)行續流，以達到續流階段電網(wǎng)與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內（如屋頂光伏系統），其基于傳統H4電路上在交流側加入旁路功能的第五、六開(kāi)關(guān)。其有效隔離了零電平時(shí)候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無(wú)功交換，提升系統效率，且降低寄生電容上的電壓高頻分量，消除漏電流,通過(guò)利用BASiC基本半導體SiC碳化硅器件的開(kāi)關(guān)損耗低特性，單相HERIC電路中，用單一器件BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管可以有效降低高頻管的損耗，顯著(zhù)降低器件的工作結溫，提升系統效率,BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管繼承了經(jīng)典的TO247封裝，客戶(hù)可以在不變更PCB和電路情況下，對老的產(chǎn)品進(jìn)行直接替換，從而在最短時(shí)間內達到系統效率的提升和增加開(kāi)關(guān)頻率的目的。同時(shí)，由于器件帶來(lái)系統損耗減少的優(yōu)勢，可以降低散熱設計要求和成本；開(kāi)關(guān)頻率提升可以有效降低并網(wǎng)電感的尺寸和大小，減少電流諧波對電網(wǎng)的污染。HERIC電路設計的拓撲結構可以實(shí)現高達99％超高轉化效率，同時(shí)將EMI保持在較低的水平。除了具有更高的能量輸出的優(yōu)點(diǎn)外，這種拓撲結構還降低了部件的熱應力，因而散熱器可以設計得更小，使用壽命卻更長(cháng)。行業(yè)普遍認為到目前為止，這是戶(hù)用光伏逆變器儲能變流器PCS設備中較好的設計。
BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速I(mǎi)GBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個(gè)額外的開(kāi)爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱(chēng)為開(kāi)爾文發(fā)射極端子，繞過(guò)柵極控制回路上的發(fā)射極引線(xiàn)電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)能量。英飛凌單管IGBT國產(chǎn)代替主要規格有BGH50N65HF1，BGH50N65HS1典型應用戶(hù)用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 ,BGH50N65ZF1，BGH75N65HF1，BGH75N65HS1典型應用戶(hù)用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 BGH75N65ZF1，BGH75N65HRA1維也納PFC電路，BGH40N120HF典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管,BGH75N120HS 典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管， (特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見(jiàn)應用包括：戶(hù)用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管，戶(hù)用光伏逆變器，組串光伏逆變器，戶(hù)用儲能逆變器，雙向變流器，雙向逆變器，車(chē)載充電機（OBC）、ESS儲能系統、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統 (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) ，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結合，為硬開(kāi)關(guān)拓撲打造了一個(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于車(chē)載電源充電機（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、儲能等領(lǐng)域。
BASiC基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具備開(kāi)關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗，以及無(wú)閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓撲，如LLC和ZVS，廣泛應用于OBC車(chē)載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅動(dòng)器進(jìn)行驅動(dòng)。由于能在高開(kāi)關(guān)頻率下帶來(lái)高效率，從而可以減小系統尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長(cháng)使用壽命。
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H1,B2D40065H1，B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三電平SiC-IGBT模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET，三電平IGBT模塊，光儲一體機混合IGBT器件
BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實(shí)現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結構，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。